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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
68
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
2,013.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
38
读取速度,GB/s
4,402.8
14.2
写入速度,GB/s
2,013.5
9.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2359
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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