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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
68
左右 -62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
2,013.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
42
读取速度,GB/s
4,402.8
13.3
写入速度,GB/s
2,013.5
9.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2427
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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