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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
68
左右 -62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
2,013.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
42
读取速度,GB/s
4,402.8
13.3
写入速度,GB/s
2,013.5
9.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2427
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
INTENSO 5641160 8GB
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