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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
68
左右 -183% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
24
读取速度,GB/s
4,402.8
15.8
写入速度,GB/s
2,013.5
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
2761
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
INTENSO 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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