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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
68
左右 -134% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
29
读取速度,GB/s
4,402.8
15.6
写入速度,GB/s
2,013.5
12.9
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3093
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
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