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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
60
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
30
读取速度,GB/s
5,082.2
17.9
写入速度,GB/s
2,381.6
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
3226
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
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