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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
60
左右 -122% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
2,381.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
27
读取速度,GB/s
5,082.2
14.5
写入速度,GB/s
2,381.6
7.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2356
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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