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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
63
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
63
读取速度,GB/s
5,082.2
14.7
写入速度,GB/s
2,381.6
12.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2543
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston Kingston2GB800 2GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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