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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
60
左右 -161% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,381.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
23
读取速度,GB/s
5,082.2
14.3
写入速度,GB/s
2,381.6
7.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2103
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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