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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
14,740.4
20.6
写入速度,GB/s
8,883.4
14.7
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3367
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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