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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
14,740.4
18.2
写入速度,GB/s
8,883.4
15.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3559
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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