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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
44
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
19
读取速度,GB/s
14,740.4
20.4
写入速度,GB/s
8,883.4
17.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3855
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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