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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
14,740.4
19.0
写入速度,GB/s
8,883.4
15.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3714
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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