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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
14,740.4
18.7
写入速度,GB/s
8,883.4
15.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3632
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
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