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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
14,740.4
16.8
写入速度,GB/s
8,883.4
13.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3405
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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