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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
14,740.4
19.8
写入速度,GB/s
8,883.4
13.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3364
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
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