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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
14,740.4
16.1
写入速度,GB/s
8,883.4
11.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2962
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-011.A00G 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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