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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
14,740.4
18.6
写入速度,GB/s
8,883.4
15.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3792
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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