RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
17.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
44
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
22
读取速度,GB/s
14,740.4
19.0
写入速度,GB/s
8,883.4
17.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3929
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB RAM的比较
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link