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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
14,740.4
15.2
写入速度,GB/s
8,883.4
10.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2882
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
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