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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston 9905700-025.A00G 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
14,740.4
13.4
写入速度,GB/s
8,883.4
10.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2472
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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