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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
14,740.4
19.8
写入速度,GB/s
8,883.4
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3650
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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