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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
53
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
8,883.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
53
读取速度,GB/s
14,740.4
10.3
写入速度,GB/s
8,883.4
8.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2333
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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