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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
5.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
14,740.4
11.2
写入速度,GB/s
8,883.4
5.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
1774
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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