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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
44
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
22
读取速度,GB/s
14,740.4
18.1
写入速度,GB/s
8,883.4
13.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3172
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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