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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,303.7
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
117
左右 -244% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
34
读取速度,GB/s
3,094.8
15.8
写入速度,GB/s
2,303.7
12.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
2902
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
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