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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
117
左右 -129% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,303.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
51
读取速度,GB/s
3,094.8
10.9
写入速度,GB/s
2,303.7
8.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
2286
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
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