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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,303.7
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
117
左右 -234% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
35
读取速度,GB/s
3,094.8
14.8
写入速度,GB/s
2,303.7
11.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
2336
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
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