RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
117
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
2,303.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
39
读取速度,GB/s
3,094.8
15.0
写入速度,GB/s
2,303.7
7.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
2245
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link