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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
总分
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
68
左右 -162% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,670.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
26
读取速度,GB/s
3,554.9
18.5
写入速度,GB/s
1,670.7
14.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3475
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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