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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.2
15.1
写入速度,GB/s
8.4
11.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2950
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
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