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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
总分
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
68
左右 -94% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,670.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
35
读取速度,GB/s
3,554.9
15.9
写入速度,GB/s
1,670.7
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3147
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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