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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
总分
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
总分
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
68
左右 -183% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,670.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
24
读取速度,GB/s
3,554.9
14.2
写入速度,GB/s
1,670.7
7.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2124
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
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