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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
总分
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
总分
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
68
左右 -209% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,670.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
22
读取速度,GB/s
3,554.9
17.9
写入速度,GB/s
1,670.7
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3411
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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