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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
63
左右 -91% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
33
读取速度,GB/s
3,895.6
14.7
写入速度,GB/s
1,583.7
9.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
2466
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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