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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Kingston 9965657-011.A00G 16GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
63
左右 -91% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
33
读取速度,GB/s
3,895.6
11.6
写入速度,GB/s
1,583.7
9.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
2102
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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