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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
63
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
37
读取速度,GB/s
3,895.6
14.7
写入速度,GB/s
1,583.7
9.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
2438
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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