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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
63
左右 -91% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
33
读取速度,GB/s
3,895.6
17.8
写入速度,GB/s
1,583.7
12.5
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
3285
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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