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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
63
左右 -75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
36
读取速度,GB/s
3,895.6
14.7
写入速度,GB/s
1,583.7
10.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
2998
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
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