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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
63
左右 -29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
49
读取速度,GB/s
3,895.6
10.7
写入速度,GB/s
1,583.7
8.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
2504
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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