RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
63
Autour de -29% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
1,583.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
49
Vitesse de lecture, GB/s
3,895.6
10.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,583.7
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
639
2504
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link