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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
35
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
22
读取速度,GB/s
12.3
18.0
写入速度,GB/s
7.3
12.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2978
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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