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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
6.3
17.2
写入速度,GB/s
5.2
14.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3461
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
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