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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
35
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
20
读取速度,GB/s
12.3
19.0
写入速度,GB/s
7.3
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3549
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
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