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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
12.3
17.7
写入速度,GB/s
7.3
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3483
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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