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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
12.3
18.3
写入速度,GB/s
7.3
15.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3529
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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