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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
35
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
22
读取速度,GB/s
12.3
18.2
写入速度,GB/s
7.3
15.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3529
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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