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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kllisre D4 8G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Kllisre D4 8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre D4 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
65
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.7
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
47
读取速度,GB/s
4,806.8
11.7
写入速度,GB/s
2,784.6
6.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2143
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kllisre D4 8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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