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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kllisre D4 8G 8GB
総合得点
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
総合得点
Kllisre D4 8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
11.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Kllisre D4 8G 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
47
65
周辺 -38% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
6.7
2,784.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
47
読み出し速度、GB/s
4,806.8
11.7
書き込み速度、GB/秒
2,784.6
6.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
932
2143
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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