RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Kllisre D4 8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Kllisre D4 8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre D4 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
65
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.7
2,784.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
47
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
11.7
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2143
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kllisre D4 8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link