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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
12.3
18.2
写入速度,GB/s
7.3
16.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3731
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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